国务院成立江苏盐城特别重大爆炸事故调查组

发布时间：2025-03-05 10:02:38 来源：变化不测网 作者：湖南省

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为了便于了解，院成咱们别离剖析以下两种MOS误导通模型：院成模型1：不考虑外部栅极电阻此模型相当于MOS的栅极悬空此刻相当于Cgd和Cgs两个寄生电容串联接在Vds之间：那么感应电压Vgs=Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)只有当Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)。Part02MOS误导通的原因咱们以DCDC电路为例，立江比方同步开关电源，其拓扑电路，一般是运用一组MOSFET作为上管和下管来分时开关完成稳压输出。

除此之外高dv/dt还会发生别的一大损害，苏盐那就是假如dv/dt过高，苏盐漏源电压的快速改变会经过栅-漏电容Cgd耦合到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，从而使MOSFET在封闭的情况下误导通。Part01前语在MOSFET中，城特查组dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的改变率，即漏极和源极之间电压随时刻的改变速度。开关频率越高，别重对应的漏极和源极电压随时刻的改变：别重dv/dt会越大，依据MOSFET的栅-漏极电容Cgd和栅-源极电容Cgs之间的比值会在MOS的G-S直接构成一个分压，或经过Cds流向栅极电阻R的电流会在栅极电阻两头构成一个分压，当此分压大于栅极敞开电压时就会导致MOSFET自导通。

当MOSFET高速开关时，大爆MOSFET由导通切换到关断状态下，MOSFET的漏极和源极端子之间会发生快速上升的电压Vds深圳市创鑫激光出售总监梁创介绍了光纤激光器、炸事半导体激光器、激光设备等产品，首要应用于工业制作、科研、医疗等范畴。

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